溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標是溫度的數(shù)值表示方法。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

光學高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。