簡述真空蒸鍍的原理。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產生的密度差所導致的。

溫度的高低不必用數字來說明，溫標是溫度的數值表示方法。

簡述雜質對擴散的影響。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

化學合成反應沉積是由兩種或兩種以上的反應原料氣在沉積反應器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

活性炭對物質的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。