強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

靜高壓高溫直接轉變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉變或化合成新物質。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。