①晶體內(nèi)雜質(zhì)濃度梯度; ②環(huán)境溫度; ③雜質(zhì)本身結(jié)構(gòu)、性質(zhì); ④晶體襯底的結(jié)構(gòu)。
①填隙式擴散 ②替位式擴散 ③填隙-替位式擴散
最新試題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
摻雜后退火時間一般在()。
影響封裝芯片特性的溫度有()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
芯片粘接的工藝過程包括()。
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
常壓的硅外延方法有()。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括()。