解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

什么是結(jié)深？

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個基本步驟。

解釋什么是暗場掩模板？

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關系。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。

例舉離子注入設備的5個主要子系統(tǒng)。