A.熱氧化工藝 B.化學(xué)氣相淀積工藝 C.濺射工藝 D.陽極氧化工藝
最新試題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
摻雜后,退火的目的是()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
光刻工藝的特點包括()。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
新的平坦化方法有哪幾個?()