A.N=D2/4λ
B.N=F/πλ
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A.增加12dB
B.增加19dB
C.變?yōu)樵瓉淼?倍
D.變?yōu)樵瓉淼?倍
A.減少12dB
B.減少19dB
C.減少3倍
D.變?yōu)樵瓉淼?/9
A.鈦酸鋇
B.硫酸鋰
C.鈮酸鋰
D.石英
A.壓電晶片的壓電應變常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
B.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大則說明該晶片的發(fā)射性能好
C.壓電晶片的壓電應變常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
D.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
A.壓電晶片的壓電應變常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
B.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的發(fā)射性能好
C.壓電晶片的壓電應變常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
D.壓電晶片的壓電電壓常數(shù)大,則說明該晶片的接收性能好
最新試題
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時,接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會產(chǎn)生強烈的聲束擴散。
衍射時差法對缺陷檢出率高,超聲波束覆蓋區(qū)域大,缺陷高度測量精確,實時成像,快速分析。
缺陷垂直時,擴散波束入射至缺陷時回波較高,而定位時就會誤認為缺陷在軸線上,從而導致定位不準。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計算公式與圓柱形平面反射體的表達式進行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
對于圓柱體而言,外圓徑向檢測實心圓柱體時,入射點處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
在檢測晶粒粗大和大型工件時,應測定材料的衰減系數(shù),計算時應考慮介質(zhì)衰減的影響。
由于超聲波對進入面的表面粗糙度、入射超聲束的方向等有一定的要求,必要時應通過增添專門的工序,采用經(jīng)批準的加工方法準備超聲波進入面。
對于圓柱體而言,外圓徑向檢測實心圓柱體時,入射點處的回波聲壓實際上由于圓柱面耦合不及平面,因而其回波高于平底面,會使定量誤差增加。
當探頭的性能不佳時出現(xiàn)兩個主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時很難判斷是哪個主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實際位置。
水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。