單項(xiàng)選擇題ZrO2晶體結(jié)構(gòu)中,O2-作簡單立方堆積,Zr4+填充()。

A.全部立方體空隙
B.1/2立方體空隙
C.1/4立方體空隙
D.1/8立方體空隙


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1.單項(xiàng)選擇題螢石(CaF2)晶體結(jié)構(gòu)中,Ca2+作面心立方最緊密堆積,F(xiàn)-填充()。

A.全部四面體空隙
B.全部八面體空隙
C.1/2四面體空隙
D.1/2八面體空隙

2.單項(xiàng)選擇題剛玉(α-Al2O3)結(jié)構(gòu)中,O2-作近似六方最緊密堆積,Al3+填充()。

A.1/2四面體空隙
B.1/2八面體空隙
C.2/3四面體空隙
D.2/3八面體空隙

3.單項(xiàng)選擇題ZrO2晶體結(jié)構(gòu)中,O2-作簡單立方堆積,Zr4+填充()。

A.全部立方體空隙
B.1/2立方體空隙
C.1/4立方體空隙
D.1/8立方體空隙

4.單項(xiàng)選擇題纖鋅礦(六方ZnS)晶體結(jié)構(gòu)中,S2-作六方最緊密堆積,Zn2+填充()。

A.全部四面體空隙
B.全部八面體空隙
C.1/2四面體空隙
D.1/2八面體空隙

5.單項(xiàng)選擇題葉臘石Al2[Si4O10](OH)2和滑石Mg3[Si4O10](OH)2都屬于2:1層狀(復(fù)網(wǎng)層)結(jié)構(gòu)類型,它們的區(qū)別在于()。

A.兩者互為多型結(jié)構(gòu)
B.兩者是同質(zhì)多晶體
C.結(jié)構(gòu)中的八面體空隙被不同的正離子(Al3+及Mg2+)所占據(jù)
D.結(jié)構(gòu)中的四面體空隙被不同的正離子(Al3+及Mg2+)所占據(jù)