半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.01.07)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：半導(dǎo)體工藝中用熱氧化法生長的SiO2是典型的無定形SiO2。無定形SiO
參考答案：tr-輸出電壓Vo從低電平VOL上升到高電平VOH的時間間隔。Rise-上升。
參考答案：①前段（frontend）-元器件（device）的制造過程。
②后段（backend）-金屬導(dǎo)線的連接及護層...
參考答案：采用負(fù)載電阻會占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負(fù)載電阻小，并且有源負(fù)載反相器電路比無源負(fù)載反相器有更好的...
參考答案：

NMOS傳輸門，不能正確傳輸高電平
PMOS傳輸門，不能正確傳輸?shù)碗娖?br /> CMOS傳輸門，電路規(guī)模較大。

參考答案：①Co（或Ti）+TiN的沉積；
②第一次RTA（快速熱處理）來形成Salicide。
③將未反應(yīng)的...
參考答案：① 負(fù)責(zé)生產(chǎn)過程中異常缺陷事故的追查分析及改善工作的調(diào)查與推動。
② 評估并建立各項缺陷監(jiān)...