半導(dǎo)體集成電路章節(jié)練習(xí)(2020.04.03)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題YE是利用何種方法找出缺陷(defect)?

參考答案：缺陷掃描機 (defect inspection tool)以圖像比對的方式來找出defect.并產(chǎn)出defect re...

2.問答題簡述LSTTL電路的版圖設(shè)計步驟

參考答案：劃分隔離區(qū)、基本設(shè)計條件的確定、各單元的圖形設(shè)計、布局、布線

3.問答題簡述擴散電阻最小條寬的確定原則

參考答案：①設(shè)計規(guī)則決定的最小擴散條寬Wmin
②工藝水平和電阻精度要求所決定的最小電阻條寬Wr，min
③流...

4.問答題雙極性集成電路中最常用的電阻器和MOS集成電路中常用的電阻都有哪些？

參考答案：雙極性集成電路中最常用的電阻器是基區(qū)擴散電阻 MOS集成電路中常用的電阻有多晶硅電阻和用MOS管形成的電阻。

5.問答題什么是氧化工藝？請說明氧化工藝為什么需要高溫技術(shù)？

參考答案：氧化，即在硅表面形成一氧化層的能力，是硅集成電路制造技術(shù)的基礎(chǔ)及關(guān)鍵因素之一。
室溫下也會生長出自然氧化層，但...

6.問答題為什么基區(qū)薄層電阻需要修正。

參考答案：基區(qū)薄層電阻擴散完成后，還有多道高溫處理工序，所以雜質(zhì)會進(jìn)一步往里邊推，同時表面的硅會進(jìn)一步氧化。形成管子后，實際電阻比...

7.問答題考慮一個電阻負(fù)載反相器電路：V_DD=5V，K_N`=20uA/V²，V_T0=0.8V，R_L=200KΩ，W/L=2。計算V_TC曲線上的臨界電壓值（V_OL、V_OH、V_IL、V_IH）及電路的噪聲容限，并評價該直流反相器的設(shè)計質(zhì)量。

8.問答題畫出用與非門表示的SR觸發(fā)器的MOS管級電路圖。

9.問答題什么是淺槽溝道隔離？其主要作用是什么？說明其主要優(yōu)點及適用工藝范圍？

參考答案：是刻蝕掉部分襯底形成溝槽（槽刻蝕），再在其中回填上介電質(zhì)（回填）作為相鄰器件之間的絕緣體的一種器件隔離方法。
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10.問答題試說明按結(jié)構(gòu)分類的二氧化硅的基本類型且各舉一例，并說明各種類型的主要結(jié)構(gòu)特點。

參考答案：按SiO₂的Si-O四面體單元的排列特點將其分為：結(jié)晶形SiO₂和無定形Si...