微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2020.01.28)

判斷題
在熱氧化過程的初始階段，二氧化硅的生長速率由氧化劑通過二氧化硅層的擴散速率決定，處于線性氧化階段。
答案：錯誤
填空題
當(dāng)采用耗盡近似時，由N 型耗盡區(qū)中的泊松方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場的斜率越（）。
答案：大
問答題
解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/h4>
答案：載流子漂移（電流）和擴散（電流）過程保持平衡（相等），形成自建場和自建勢在PN結(jié)上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一...
問答題
離子注入后的RTA流程
答案：
1、晶圓進入
2、溫度急升
3、溫度趨穩(wěn)
4、退火
5、晶圓冷卻
6、晶圓退出
問答題
解釋增強型晶體管和耗盡型晶體管使用情況的區(qū)別。
答案：增強型和耗盡型場效應(yīng)晶體管，總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵...
填空題
擴散分布的主要測量方法有：（）。
答案：四探針測電阻率、擴展電阻測載流子分布、霍爾效應(yīng)測電阻率、染色法測結(jié)深、二次離子質(zhì)譜測雜質(zhì)分布、盧瑟福背散射測重雜質(zhì)分布
填空題
在長溝道MOSFET中，漏極電流的飽和是由于（），而在短溝道MOSFET中，漏極電流的飽和則是由于（）。
答案：溝道夾斷；載流子漂移速度的飽和
問答題
給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。
答案：
1.將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中。
2.在后續(xù)工藝中保護下面的材料。
問答題
集成電路設(shè)計和分立電路設(shè)計相比，有哪些特點？
答案：①集成電路對設(shè)計正確性提出了更為嚴格的要求。
②集成電路外引出端的數(shù)目不可能與芯片內(nèi)器件的數(shù)目同步增加，因此設(shè)...
問答題
什么是leftoff技術(shù)？優(yōu)點和缺點是什么？
答案：Liftoff技術(shù)是一種有別與干法和濕法刻蝕的介質(zhì)薄膜，特別是金屬薄膜特殊剝離去除技術(shù)
優(yōu)點是：樣品不必做實際...