簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動(dòng)。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對(duì)流擴(kuò)散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴(kuò)散過程。

簡(jiǎn)述真空蒸鍍的原理。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。