A.ROM
B.SRAM
C.STT MRAM
D.FLASH
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當f取何值時,總延遲時間最?。浚ǎ?br/>
A.2
B.1.5
C.e
D.5
下圖的表達式是()。
A.
B.
C.
D.
對于輸出單元中的隔離環(huán)結(jié)構(gòu),說法不正確的是()。
A.隔離環(huán)中設(shè)計了良好的電源、地接觸
B.防止觸發(fā)CMOS結(jié)構(gòu)的寄生可控硅效應(yīng)燒毀電路
C.版圖采用了多柵并聯(lián)結(jié)構(gòu),源漏區(qū)的金屬引線設(shè)計成叉指狀結(jié)構(gòu)
D.PMOS管的尺寸比NMOS管小,這樣可使倒相器的輸出波形對稱
A.對內(nèi)提供內(nèi)外的隔離和輸入保護功能
B.連接芯片內(nèi)部與芯片外部系統(tǒng)(壓焊塊)
C.對外的驅(qū)動
D.大部分I/O PAD都不是以標準單元的結(jié)構(gòu)形式出現(xiàn)
下面版圖對應(yīng)的邏輯表達式是()。
A.(A+B)*(C+D)
B.
C.
D.A*B+C*D
最新試題
下列屬于BGAA形式的是()。
以下不屬于打碼目的的是()。
鍵合工藝失效,,鍵合點尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點,說法正確的是()。
為了獲得好的性能,塑封料的電學性必須得到控制。
電子封裝是指對電路芯片進行包裝,進而保護電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯誤的是()。
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。