簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。

吸附平衡關(guān)系由吸附過(guò)程的方向和極限決定的，是吸附過(guò)程的基本依據(jù)。

化學(xué)氣相沉積乃是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵(lì)或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來(lái)增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

溫度的高低不必用數(shù)字來(lái)說(shuō)明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。

簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。

簡(jiǎn)述真空蒸鍍的原理。