在CVD 技術(shù)中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

化學合成反應沉積是由兩種或兩種以上的反應原料氣在沉積反應器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。