A.線圈直徑;
B.試驗(yàn)頻率;
C.線圈的形狀;
D.離其它線圈的距離.
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A.只能在渦流線圈的一次繞組中存在;
B.只能在渦流線圈的二次繞組中存在
C.渦流線圈一次繞組和二次繞組中均會(huì)存在;
D.只能在試樣中存在.
A.對(duì)渦流無影響;
B.增大渦流透入深度;
C.減小渦流透入深度;
D.使渦流透入深度減小到某一最小值.
A.零件中的渦流方向不變;
B.零件中的渦流相位變化45°;
C.零件中的渦流也反向;
D.零件中渦流不變.
A.試驗(yàn)頻率或試樣的電導(dǎo)率減小;
B.試驗(yàn)頻率減小或試樣的電導(dǎo)率增大;
C.試驗(yàn)頻率、試樣的電導(dǎo)率或磁導(dǎo)率增大;
D.試樣的磁導(dǎo)率減小.
A.頑磁性;
B.磁導(dǎo)率;
C.電導(dǎo)率;
D.磁致伸縮
最新試題
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是(),必須嚴(yán)加控制。
一次完整的兩面多層補(bǔ)焊,當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過一次X射線檢測(cè),若反面還需打底,則無需X射線檢測(cè)。
超差缺陷是否排除,由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
一次完整的補(bǔ)焊過程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。
為了提高射線照相對(duì)比度,可以采用高電壓、短時(shí)間、大管電流的方式曝光。
在射線照相檢驗(yàn)中,隨著射線能量的提高,得到的圖像不清晰度也將增大。
對(duì)于厚度變化較大的變截面工件透照,只要底片黑度符合GJB1187A的要求時(shí),就可采用多膠片技術(shù)。
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。
下面給出的射線檢測(cè)基本原理中,正確的是()。