簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

化學(xué)氣相沉積乃是通過化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。