多項選擇題關于光學光刻，下列哪種方法可以獲得高分辨率（）
A.光源為紫光
B.使用移相掩膜技術制備的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.駐波效應對分辨率無影響
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1.多項選擇題濺射與蒸鍍比較，下列那種說法正確（）
A.蒸鍍工藝的普適性更好
B.濺射工藝的普適性更好
C.濺射工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
2.多項選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時，靶放在那個電極上、襯底放在那個電極上（）
A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上
3.單項選擇題為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極，多采用下列哪種工藝方法（）
A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD
4.單項選擇題poly-Si薄膜通常是采用什么方法制備的（）
A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD
5.單項選擇題LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時淀積速率的特點為（）
A.反應劑氣體濃度的變化對淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會對淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運控制
D.淀積速率受表面化學反應控制
最新試題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝對準誤差包括（）。
題型：多項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
題型：多項選擇題
CMP的設備構成包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題