多項(xiàng)選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時(shí)，靶放在那個(gè)電極上、襯底放在那個(gè)電極上（）
A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上
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1.單項(xiàng)選擇題為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極，多采用下列哪種工藝方法（）
A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD
2.單項(xiàng)選擇題poly-Si薄膜通常是采用什么方法制備的（）
A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD
3.單項(xiàng)選擇題LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時(shí)淀積速率的特點(diǎn)為（）
A.反應(yīng)劑氣體濃度的變化對(duì)淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會(huì)對(duì)淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制
D.淀積速率受表面化學(xué)反應(yīng)控制
4.單項(xiàng)選擇題在已擴(kuò)散結(jié)深達(dá)0.8μm的p-Si上再進(jìn)行濕氧，氧化層厚0.2μm時(shí)，結(jié)深是多少（）
A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm
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芯片粘接的工藝過程包括（）。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
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