單項選擇題為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極，多采用下列哪種工藝方法（）
A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD
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1.單項選擇題poly-Si薄膜通常是采用什么方法制備的（）
A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD
2.單項選擇題LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時淀積速率的特點為（）
A.反應(yīng)劑氣體濃度的變化對淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會對淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運控制
D.淀積速率受表面化學反應(yīng)控制
3.單項選擇題在已擴散結(jié)深達0.8μm的p-Si上再進行濕氧，氧化層厚0.2μm時，結(jié)深是多少（）
A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm
5.多項選擇題關(guān)于離子注入?yún)^(qū)形成非晶層的臨界劑量，下面哪幾種說法正確（）
A.靶溫升高，臨界劑量上升
B.注入離子越輕，臨界劑量越小
C.注入離子劑量率增大，臨界劑量降低
D.注入離子能量越高，臨界劑量越低
最新試題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項選擇題
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題