在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質產生多型相變或發(fā)生不同物質間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

靜高壓高溫直接轉變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉變或化合成新物質。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標是溫度的數(shù)值表示方法。