A.降低
B.升高
C.不變
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A.橫波反射率γss很低，縱波反射率γsL較高
B.橫波反射率γss為100%
C.縱波反射率γsL為100%
D.橫波反射率γss很高，縱波反射率γsL較低
A.在有機(jī)玻璃斜楔中產(chǎn)生
B.在晶片上直接產(chǎn)生
C.在有機(jī)玻璃耦合層界面上產(chǎn)生
D.在耦合層與鋼板界面上產(chǎn)生
A.有利于提高分辨力
B.有利于改善聲束指向性
C.有利于發(fā)現(xiàn)較小缺陷
D.以上都可以
A.以翼板處為檢測(cè)面的直探頭
B.以翼板外為檢測(cè)面的斜探頭
C.以翼板內(nèi)為檢測(cè)面的直探頭
D.以腹板為檢測(cè)面的斜探頭
A.超聲回波的幅度大小
B.缺陷的位置
C.被探材料的厚度
D.超聲傳播時(shí)間
最新試題
（）和底波高度法一般用于缺陷尺寸小于聲束截面的缺陷定量。
底波高度法不用試塊，可以直接利用底波調(diào)節(jié)靈敏度和比較缺陷的相對(duì)大小，操作方便，適用于（）的工件。
實(shí)際檢測(cè)中，為了提高掃查速度而又不引起漏檢，常將檢測(cè)靈敏度適當(dāng)提高，這種在檢測(cè)靈敏度基礎(chǔ)上適當(dāng)提高后的靈敏度叫做（）。
關(guān)于液浸法的優(yōu)點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
儀器水平線性影響（）。
直接接觸法是指探頭與工件之間（）。
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來(lái)確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的（）。
在對(duì)缺陷進(jìn)行定量前，必須先調(diào)節(jié)（）。
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長(zhǎng)工件上時(shí)，在底波之后出現(xiàn)一系列的波，這種波是（）。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí)，應(yīng)使（）同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。