空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

光學(xué)高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。