A.電壓比較器
B.具有回差的斯密特電路
C.穩(wěn)壓器和可控硅管
D.經(jīng)與非門電路
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A.晶體管晶體管
B.場(chǎng)效應(yīng)管晶體管
B.晶體管場(chǎng)效應(yīng)管
D.場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管
A.艙容小艙容小
B.艙容小艙容大
C.艙容大艙容小
D.艙容大艙容大
A.減小降低
B.減小提高
C.增大降低
D.增大提高
A.直流測(cè)速發(fā)電機(jī)
B.交流測(cè)速發(fā)電機(jī)
C.步進(jìn)電機(jī)
D.磁脈沖傳感器
A.P1大小正比
B.P1-P2壓差成正比
C.P1的大小成反比
D.P2大小成反比
最新試題
關(guān)于動(dòng)態(tài)系統(tǒng),下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是:()
系統(tǒng)的相角裕量越大,超調(diào)越();截至頻率越高,快速性越(),抗高頻干擾的能力越()。
PID參數(shù)整定方法通??梢苑譃槔碚撚?jì)算整定法和()整定法。
用根軌跡法進(jìn)行系統(tǒng)校正,是將高階系統(tǒng)看作次阻尼二階系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)計(jì),所以,在校正裝置設(shè)計(jì)之后,需要進(jìn)行(),看被忽略掉的系統(tǒng)極點(diǎn)對(duì)系統(tǒng)動(dòng)態(tài)性能的影響。正因?yàn)榻惦A處理的粗略性,設(shè)計(jì)初確定主導(dǎo)極點(diǎn)位置時(shí)需要留出()。
一個(gè)實(shí)際的即物理上可實(shí)現(xiàn)的線性系統(tǒng),其傳遞函數(shù)必然是嚴(yán)格真有理分式,但社會(huì)等廣義系統(tǒng)不受此限制。()
超前校正適用于改善系統(tǒng)的(),而滯后校正常用于改善系統(tǒng)的()。如果系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)和穩(wěn)態(tài)特性均較差時(shí),通常需采用()。
系統(tǒng)局部反饋通路中接入的校正裝置稱為()校正裝置。
首一多項(xiàng)式形式的傳遞函數(shù)對(duì)應(yīng)的增益稱為:()
二次振蕩環(huán)節(jié)中包含()個(gè)獨(dú)立儲(chǔ)能元件。
關(guān)于控制系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是:()