簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構(gòu)變化，這種情況稱為馳豫。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。