單項選擇題哪一項不屬于控制Dry Etch工程的工藝條件（）

A.能量（Power）
B.氣體（Gas）
C.壓力（Pressure）
D.磁場（Magnet）


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1.單項選擇題下列哪一項不屬于Dry Etch設(shè)備的主要Unit（）

A.Process Chamber（反應(yīng)腔）
B.Loadlock Module（加載腔）
C.Heating Chamber（加熱腔）
D.Transfer Module（中轉(zhuǎn)腔）

2.單項選擇題在Dry Etch工程中，Active Etch工藝不會被刻蝕到的Film是（）

A.G-SiNx
B.P-SiNx
C.N+a-SiNx
D.a-Si

3.單項選擇題CVD中干泵進行Purge和Sealing的氣體是（）

A.N2
B.CO
C.H2
D.CO2

4.單項選擇題CVD設(shè)備中可以檢測到Glass是否Broken的裝置是（）

A.Process Chamber
B.Transfer Chamber
C.DSSL
D.Scrubber

5.單項選擇題CVD中起到冷卻作用的設(shè)備是（）

A.Process Chamber
B.Transfer Chamber
C.DSSL
D.Scrubber