常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。