活性炭對(duì)物質(zhì)的吸附是對(duì)極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動(dòng)，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無(wú)機(jī)薄膜或其它材料形式的方法。

吸附質(zhì)從流體主體通過(guò)分子與對(duì)流擴(kuò)散穿過(guò)薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱(chēng)之為外擴(kuò)散過(guò)程。

化學(xué)氣相沉積乃是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵(lì)或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

在電離真空計(jì)中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

強(qiáng)制對(duì)流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。