單項(xiàng)選擇題
A.100 B.10 C.50 D.6
A.定電流二極管 B.定電壓二極管 C.電阻調(diào)整二極管 D.無法工作
A.39 B.59 C.69 D.49 E.29
A.短的 B.高速用 C.感知器 D.半導(dǎo)體
A.是一壓控組件 B.是單極性組件 C.輸入阻抗很低 D.沒有抵補(bǔ)（offset）電壓是一個很好的開關(guān)組件
A.輸入阻抗極低，有極高扇出數(shù) B.集成電路所占體積小 C.O”是指二氧化硅層 D.可作雙向?qū)ΨQ開關(guān)
A.共源極（CS） B.共汲極（CD） C.共閘極（CG） D.以上皆非
如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路，設(shè)VDD=+24V，RD=1.2kΩ，RG=10MΩ，MOSFET的IDSS=9mA，VP=－4.5V，則直流偏壓值為何？（）
A.VGS=4.5V，ID=9mA B.VGS=－4.5V，ID=4.5mA C.VGS=0V，VGS=18.6V D.VGS=0V，VDS=4.5V E.VGS=0V，VDS=13.2V
如圖所示，晶體管之β=40，使晶體管飽和之最小IB為？（）
A.2mA B.1mA C.0.5mA D.0.1mA
A.E>B>C B.B>E>C C.E>C>B D.C>E>B
A.0.02 B.1.98 C.0.495 D.2.54
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