單項(xiàng)選擇題芯片中通常把電源線和地線布線成縱橫交錯(cuò)的網(wǎng)格狀，以降低IR drop，其原理是（）。
A.可以減小各處電路的電源/地線上的寄生電阻
B.可以減小流過電源/地線上的電流
C.可以使得芯片各處的電源/地線上的寄生電阻相等
D.增大導(dǎo)線的對地電容，濾除電壓的波動
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1.多項(xiàng)選擇題下列情形中會使得存在電容串?dāng)_時(shí)受害信號線受到更大干擾的是（）。
A.耦合電容更大
B.干擾信號擺幅大
C.受害信號線是低阻抗節(jié)點(diǎn)（被低的驅(qū)動電阻驅(qū)動）
D.干擾信號翻轉(zhuǎn)速度快
2.單項(xiàng)選擇題信號經(jīng)過長導(dǎo)線的傳播延時(shí)和導(dǎo)線長度的（）次方成正比。
A.1
B.2
C.3
D.0
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)導(dǎo)線延時(shí)超過邏輯門延時(shí)，信號翻轉(zhuǎn)時(shí)間也比導(dǎo)線延時(shí)短是，應(yīng)該采用下面哪種延時(shí)模型？（）
A.集總電容模型
B.分布rc模型
C.集總RC模型
D.看作理想導(dǎo)線
4.多項(xiàng)選擇題數(shù)字集成電路中的寄生電感的影響主要考慮（）線上的寄生。
A.電源
B.地
C.時(shí)鐘
D.數(shù)據(jù)信號
5.多項(xiàng)選擇題下列因素會影響一條導(dǎo)線的總的寄生電容的有（）。
A.絕緣層的厚度
B.導(dǎo)線的寬度
C.導(dǎo)線之間的線間距
D.金屬層的厚度
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為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
載帶自動焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型：判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題