多項(xiàng)選擇題下列情形中會(huì)使得存在電容串?dāng)_時(shí)受害信號(hào)線受到更大干擾的是（）。
A.耦合電容更大
B.干擾信號(hào)擺幅大
C.受害信號(hào)線是低阻抗節(jié)點(diǎn)（被低的驅(qū)動(dòng)電阻驅(qū)動(dòng)）
D.干擾信號(hào)翻轉(zhuǎn)速度快
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1.單項(xiàng)選擇題信號(hào)經(jīng)過長導(dǎo)線的傳播延時(shí)和導(dǎo)線長度的（）次方成正比。
A.1
B.2
C.3
D.0
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)導(dǎo)線延時(shí)超過邏輯門延時(shí)，信號(hào)翻轉(zhuǎn)時(shí)間也比導(dǎo)線延時(shí)短是，應(yīng)該采用下面哪種延時(shí)模型？（）
A.集總電容模型
B.分布rc模型
C.集總RC模型
D.看作理想導(dǎo)線
3.多項(xiàng)選擇題數(shù)字集成電路中的寄生電感的影響主要考慮（）線上的寄生。
A.電源
B.地
C.時(shí)鐘
D.數(shù)據(jù)信號(hào)
4.多項(xiàng)選擇題下列因素會(huì)影響一條導(dǎo)線的總的寄生電容的有（）。
A.絕緣層的厚度
B.導(dǎo)線的寬度
C.導(dǎo)線之間的線間距
D.金屬層的厚度
5.多項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)電路的靜態(tài)功耗不可忽略時(shí)，關(guān)于使它一次翻轉(zhuǎn)消耗的總能量最小的電源電壓的表述正確的是（）。
A.應(yīng)該充分降低VDD
B.能耗與VDD不是單調(diào)關(guān)系，存在一個(gè)最優(yōu)的電源電壓
C.過低的VDD會(huì)引起靜態(tài)能耗增加
D.最優(yōu)的VDD通常小于晶體管的閾值電壓
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塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
電子封裝是指對(duì)電路芯片進(jìn)行包裝，進(jìn)而保護(hù)電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型：判斷題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題