單項(xiàng)選擇題當(dāng)導(dǎo)線延時(shí)超過(guò)邏輯門(mén)延時(shí)，信號(hào)翻轉(zhuǎn)時(shí)間也比導(dǎo)線延時(shí)短是，應(yīng)該采用下面哪種延時(shí)模型？（）

A.集總電容模型
B.分布rc模型
C.集總RC模型
D.看作理想導(dǎo)線


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1.多項(xiàng)選擇題數(shù)字集成電路中的寄生電感的影響主要考慮（）線上的寄生。

A.電源
B.地
C.時(shí)鐘
D.數(shù)據(jù)信號(hào)

2.多項(xiàng)選擇題下列因素會(huì)影響一條導(dǎo)線的總的寄生電容的有（）。

A.絕緣層的厚度
B.導(dǎo)線的寬度
C.導(dǎo)線之間的線間距
D.金屬層的厚度

3.多項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)電路的靜態(tài)功耗不可忽略時(shí)，關(guān)于使它一次翻轉(zhuǎn)消耗的總能量最小的電源電壓的表述正確的是（）。

A.應(yīng)該充分降低VDD
B.能耗與VDD不是單調(diào)關(guān)系，存在一個(gè)最優(yōu)的電源電壓
C.過(guò)低的VDD會(huì)引起靜態(tài)能耗增加
D.最優(yōu)的VDD通常小于晶體管的閾值電壓

4.單項(xiàng)選擇題一個(gè)輸入為0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些會(huì)引起靜態(tài)功耗的漏電流？（）

A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應(yīng)漏端漏電GIDL
D.pn結(jié)反偏漏電流（BTBT）

5.多項(xiàng)選擇題一個(gè)數(shù)字電路的平均功耗和下列哪些量成正比？（）

A.開(kāi)關(guān)活動(dòng)性
B.工作頻率
C.電路的寄生電容
D.全擺幅時(shí)的電源電壓