單項選擇題一個輸入為0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些會引起靜態(tài)功耗的漏電流?()
A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應漏端漏電GIDL
D.pn結反偏漏電流(BTBT)
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1.多項選擇題一個數(shù)字電路的平均功耗和下列哪些量成正比?()
A.開關活動性
B.工作頻率
C.電路的寄生電容
D.全擺幅時的電源電壓
2.單項選擇題一個邏輯門輸出從低電平向高電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在()動態(tài)功耗,從高電平向低電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在()動態(tài)功耗。
A.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;直流通路引起的功耗
B.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;電容充電功耗和直流通路引起的功耗
C.電容充電功耗;直流通路引起的功耗
D.直流通路引起的功耗;電容充電功耗和直流通路引起的功耗
E.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;無
3.多項選擇題芯片的功耗會影響下列哪些系統(tǒng)指標?()
A.待機時間
B.散熱成本
C.可靠性
D.設計復雜度
4.單項選擇題組合邏輯路徑存在分支時會使得路徑的延時()。
A.增大
B.減小
C.不變
5.單項選擇題對于存在多管堆疊結構的大扇入邏輯門,應該把關鍵輸入信號(最晚到達的信號)連接到()。
A.內(nèi)側的晶體管上
B.外側的晶體管上
C.尺寸最大的晶體管上
最新試題
下列關于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點,說法正確的是()。
題型:多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術正確的是()。
題型:單項選擇題
下面關于BGA的特點,說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
根據(jù)焊點的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項選擇題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項選擇題
鍵合工藝失效,,鍵合點尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項選擇題
使用3D封裝技術可以實現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
題型:多項選擇題
凸點的制作技術有()。
題型:多項選擇題