單項(xiàng)選擇題一個(gè)邏輯門輸出從低電平向高電平翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中存在()動(dòng)態(tài)功耗,從高電平向低電平翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中存在()動(dòng)態(tài)功耗。
A.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;直流通路引起的功耗
B.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;電容充電功耗和直流通路引起的功耗
C.電容充電功耗;直流通路引起的功耗
D.直流通路引起的功耗;電容充電功耗和直流通路引起的功耗
E.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;無(wú)
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1.多項(xiàng)選擇題芯片的功耗會(huì)影響下列哪些系統(tǒng)指標(biāo)?()
A.待機(jī)時(shí)間
B.散熱成本
C.可靠性
D.設(shè)計(jì)復(fù)雜度
2.單項(xiàng)選擇題組合邏輯路徑存在分支時(shí)會(huì)使得路徑的延時(shí)()。
A.增大
B.減小
C.不變
3.單項(xiàng)選擇題對(duì)于存在多管堆疊結(jié)構(gòu)的大扇入邏輯門,應(yīng)該把關(guān)鍵輸入信號(hào)(最晚到達(dá)的信號(hào))連接到()。
A.內(nèi)側(cè)的晶體管上
B.外側(cè)的晶體管上
C.尺寸最大的晶體管上
4.單項(xiàng)選擇題一條組合邏輯路徑,調(diào)整各級(jí)門的尺寸系數(shù)使得路徑延時(shí)最短時(shí)對(duì)應(yīng)的條件是()。
A.所有邏輯門的尺寸系數(shù)取最小值
B.所有邏輯門的尺寸系數(shù)取面積允許的最大值
C.每級(jí)門的門努力都相等
D.門級(jí)門的邏輯努力都相等
5.單項(xiàng)選擇題邏輯努力和下列哪些因素有關(guān)?()
A.尺寸系數(shù)
B.邏輯門的結(jié)構(gòu)
C.工藝參數(shù)
D.外部負(fù)載
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去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
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收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
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倒裝芯片的連接方式有()。
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鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
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下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
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鍵合常用的劈刀形狀,下列說(shuō)法正確的是()。
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