單項選擇題邏輯努力和下列哪些因素有關(guān)？（）
A.尺寸系數(shù)
B.邏輯門的結(jié)構(gòu)
C.工藝參數(shù)
D.外部負載
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1.單項選擇題下列因素哪個不會影響一種給定邏輯門的本征延時？（）
A.尺寸系數(shù)
B.工藝參數(shù)
C.電源電壓
D.溫度
2.單項選擇題真實邏輯門的延時與輸入信號的翻轉(zhuǎn)時間（），與邏輯門的負載電容（）。
A.有關(guān)，無關(guān)
B.無關(guān)，成線性關(guān)系
C.有關(guān)，成線性關(guān)系
D.有關(guān)，成非線性關(guān)系
3.單項選擇題大扇入或非門的最大傳播延時與它的扇入（）。
A.成正比
B.成平方關(guān)系
C.無關(guān)
D.成反比
4.單項選擇題CMOS反相器的傳播延時隨著電源電壓升高而（）。
A.變長
B.變短
C.不變
5.單項選擇題一個CMOS反相器它所驅(qū)動的外部負載電容遠小于它自身的寄生電容（即只考慮反相器自身的寄生負載電容），當維持兩個晶體管的溝道長度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時放大2倍，那么它的傳播延時將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
最新試題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
塑封料的機械性能包括的模量有（）。
題型：多項選擇題
電子封裝是指對電路芯片進行包裝，進而保護電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項選擇題