單項(xiàng)選擇題CMOS反相器的傳播延時(shí)隨著電源電壓升高而（）。
A.變長(zhǎng)
B.變短
C.不變
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1.單項(xiàng)選擇題一個(gè)CMOS反相器它所驅(qū)動(dòng)的外部負(fù)載電容遠(yuǎn)小于它自身的寄生電容（即只考慮反相器自身的寄生負(fù)載電容），當(dāng)維持兩個(gè)晶體管的溝道長(zhǎng)度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時(shí)放大2倍，那么它的傳播延時(shí)將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
2.單項(xiàng)選擇題一個(gè)CMOS反相器它所驅(qū)動(dòng)的外部負(fù)載電容遠(yuǎn)大于它自身的寄生電容（即不考慮反相器自身的寄生負(fù)載電容），當(dāng)維持兩個(gè)晶體管的溝道長(zhǎng)度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時(shí)放大2倍，那么它的傳播延時(shí)將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
3.單項(xiàng)選擇題數(shù)字集成電路中的噪聲來(lái)源主要有片內(nèi)的（）噪聲，和來(lái)自片外的（）噪聲，前者與信號(hào)擺幅（），后者與信號(hào)擺幅（）。
A.耦合，電源地，無(wú)關(guān)，成正比
B.耦合，電源地，成正比，無(wú)關(guān)
C.電源地，耦合，成正比，無(wú)關(guān)
D.電源地，耦合，無(wú)關(guān)，成正比
4.單項(xiàng)選擇題對(duì)一個(gè)CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的溝道寬度之比（Wp/Wn），其開(kāi)關(guān)閾值將（）；當(dāng)NMOS管的閾值電壓變大，對(duì)稱(chēng)反相器所對(duì)應(yīng)的Wp/Wn應(yīng)該（）。
A.增大；增大
B.減??；減小
C.增大；減小
D.減小；增大
5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)溫度升高時(shí)，MOS管的漏極飽和電流將（），亞閾值漏電流將（）。
A.上升，下降
B.上升，上升
C.下降，上升
D.下降，下降
最新試題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類(lèi)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
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凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
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鍵合常用的劈刀形狀，下列說(shuō)法正確的是（）。
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題型：判斷題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來(lái)到大眾視線
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題