單項選擇題數字集成電路中的噪聲來源主要有片內的（）噪聲，和來自片外的（）噪聲，前者與信號擺幅（），后者與信號擺幅（）。
A.耦合，電源地，無關，成正比
B.耦合，電源地，成正比，無關
C.電源地，耦合，成正比，無關
D.電源地，耦合，無關，成正比
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1.單項選擇題對一個CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的溝道寬度之比（Wp/Wn），其開關閾值將（）；當NMOS管的閾值電壓變大，對稱反相器所對應的Wp/Wn應該（）。
A.增大；增大
B.減?。粶p小
C.增大；減小
D.減小；增大
2.單項選擇題當溫度升高時，MOS管的漏極飽和電流將（），亞閾值漏電流將（）。
A.上升，下降
B.上升，上升
C.下降，上升
D.下降，下降
3.單項選擇題亞閾值電流的大小和晶體管的過驅動電壓VGS-VT成（）關系。
A.指數
B.平方
C.線性
4.多項選擇題下列參數變化會引起NMOS晶體管閾值電壓降低的是（）。
A.溝道長度L縮短
B.晶體管的VDS增大
C.源端電位升高（襯底接地）
D.增加襯底摻雜濃度
5.多項選擇題
根據下圖所示的MOS管版圖，可知下列幾個寄生電容與溝道寬度W成正比的有（粉色為多晶硅層，綠色為有源區(qū)層，黑色為接觸孔層，深綠色為金屬層）（）。
A.柵與源漏區(qū)的耦合電容
B.擴散區(qū)的底板電容
C.柵-溝道電容
D.擴散區(qū)的側壁電容
最新試題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
下面關于BGA的特點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術正確的是（）。
題型：單項選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關于SiP的分類，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應用的關鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學性必須得到控制。
題型：判斷題
下面不屬于QFP封裝改進品質的是（）。
題型：單項選擇題