A.增大;增大
B.減?。粶p小
C.增大;減小
D.減小;增大
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A.上升,下降
B.上升,上升
C.下降,上升
D.下降,下降
A.指數(shù)
B.平方
C.線性
A.溝道長度L縮短
B.晶體管的VDS增大
C.源端電位升高(襯底接地)
D.增加襯底摻雜濃度
根據(jù)下圖所示的MOS管版圖,可知下列幾個(gè)寄生電容與溝道寬度W成正比的有(粉色為多晶硅層,綠色為有源區(qū)層,黑色為接觸孔層,深綠色為金屬層)()。
A.柵與源漏區(qū)的耦合電容
B.擴(kuò)散區(qū)的底板電容
C.柵-溝道電容
D.擴(kuò)散區(qū)的側(cè)壁電容
下圖是短溝增強(qiáng)型NMOS管的一階手工分析模型的源漏電流-源漏電壓關(guān)系圖,L1、L2和L3三條虛線把晶體管的工作區(qū)劃分為三個(gè)區(qū)域(分別用I、II、III表示),它們分別對應(yīng)線性區(qū)(電阻區(qū))、速度飽和區(qū)和飽和區(qū)。下列工作區(qū)名稱對應(yīng)關(guān)系正確的是()。
A.I-線性區(qū),II-飽和區(qū),III-速度飽和區(qū)
B.I-速度飽和區(qū),II-飽和區(qū),III-速度飽和區(qū)
C.I-截止區(qū),II-速度飽和區(qū),III-飽和區(qū)
D.I-線性區(qū),II-速度飽和區(qū),III-飽和區(qū)
最新試題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
倒裝芯片的連接方式有()。
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
AUBM的形成可以采用()方法。
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
以下不屬于打碼目的的是()。
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。