單項(xiàng)選擇題對一個(gè)CMOS反相器,增大PMOS管和NMOS管的溝道寬度之比(Wp/Wn),其開關(guān)閾值將();當(dāng)NMOS管的閾值電壓變大,對稱反相器所對應(yīng)的Wp/Wn應(yīng)該()。

A.增大;增大
B.減?。粶p小
C.增大;減小
D.減小;增大


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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)溫度升高時(shí),MOS管的漏極飽和電流將(),亞閾值漏電流將()。

A.上升,下降
B.上升,上升
C.下降,上升
D.下降,下降

3.多項(xiàng)選擇題下列參數(shù)變化會(huì)引起NMOS晶體管閾值電壓降低的是()。

A.溝道長度L縮短
B.晶體管的VDS增大
C.源端電位升高(襯底接地)
D.增加襯底摻雜濃度

4.多項(xiàng)選擇題

根據(jù)下圖所示的MOS管版圖,可知下列幾個(gè)寄生電容與溝道寬度W成正比的有(粉色為多晶硅層,綠色為有源區(qū)層,黑色為接觸孔層,深綠色為金屬層)()。

A.柵與源漏區(qū)的耦合電容
B.擴(kuò)散區(qū)的底板電容
C.柵-溝道電容
D.擴(kuò)散區(qū)的側(cè)壁電容

5.單項(xiàng)選擇題

下圖是短溝增強(qiáng)型NMOS管的一階手工分析模型的源漏電流-源漏電壓關(guān)系圖,L1、L2和L3三條虛線把晶體管的工作區(qū)劃分為三個(gè)區(qū)域(分別用I、II、III表示),它們分別對應(yīng)線性區(qū)(電阻區(qū))、速度飽和區(qū)和飽和區(qū)。下列工作區(qū)名稱對應(yīng)關(guān)系正確的是()。

A.I-線性區(qū),II-飽和區(qū),III-速度飽和區(qū)
B.I-速度飽和區(qū),II-飽和區(qū),III-速度飽和區(qū)
C.I-截止區(qū),II-速度飽和區(qū),III-飽和區(qū)
D.I-線性區(qū),II-速度飽和區(qū),III-飽和區(qū)