單項(xiàng)選擇題

下圖是短溝增強(qiáng)型NMOS管的一階手工分析模型的源漏電流-源漏電壓關(guān)系圖，L1、L2和L3三條虛線把晶體管的工作區(qū)劃分為三個(gè)區(qū)域（分別用I、II、III表示），它們分別對(duì)應(yīng)線性區(qū)（電阻區(qū)）、速度飽和區(qū)和飽和區(qū)。下列工作區(qū)名稱對(duì)應(yīng)關(guān)系正確的是（）。

A.I-線性區(qū)，II-飽和區(qū)，III-速度飽和區(qū)
B.I-速度飽和區(qū)，II-飽和區(qū)，III-速度飽和區(qū)
C.I-截止區(qū)，II-速度飽和區(qū)，III-飽和區(qū)
D.I-線性區(qū)，II-速度飽和區(qū)，III-飽和區(qū)


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1.多項(xiàng)選擇題下面工藝參數(shù)變化會(huì)使得NMOS硅柵晶體管的閾值電壓升高的有（）。

A.多晶硅和襯底半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差的絕對(duì)值增大
B.柵極氧化層厚度變?。▎挝幻娣e的柵氧化層電容增大）
C.氧化層中的表面電荷（正電荷）減少
D.在溝道區(qū)人工注入p型雜質(zhì)離子使得單位面積的電荷密度升高

2.單項(xiàng)選擇題

下圖的版圖中NMOS管在（）邊，PMOS管在（）邊。

A.左，右
B.右，左
C.左，左
D.右，右

3.單項(xiàng)選擇題

在下面的晶體管剖面圖中依次標(biāo)出各個(gè)編號(hào)所指的部位對(duì)應(yīng)的MOS管的結(jié)構(gòu)名稱和此晶體管的類型，表述正確的是（）。

A.柵、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、襯底、NMOS
B.襯底、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、柵、PMOS
C.柵、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、襯底、PMOS
D.源/漏區(qū)、柵、襯底、源/漏區(qū)、NMOS

4.多項(xiàng)選擇題下面選項(xiàng)中是用集成電路實(shí)現(xiàn)電路系統(tǒng)的好處的是（）。

A.體積小、重量輕
B.單位功能的制造成本低
C.性能高
D.可靠性高
E.功能更豐富

5.單項(xiàng)選擇題

當(dāng)S4=1，其余位均為0時(shí)，D7D6D5D4D3D2D1D0移位結(jié)果是（）。

A.B3B2B1B0B7B6B5B4
B.B5B4B3B2B1B0B7B6
C.B4B3B2B1B0B7B6B5
D.B2B1B0B7B6B5B4B3