在下面的晶體管剖面圖中依次標(biāo)出各個(gè)編號(hào)所指的部位對(duì)應(yīng)的MOS管的結(jié)構(gòu)名稱(chēng)和此晶體管的類(lèi)型，表述正確的是（）。
A.柵、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、襯底、NMOS
B.襯底、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、柵、PMOS
C.柵、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、襯底、PMOS
D.源/漏區(qū)、柵、襯底、源/漏區(qū)、NMOS
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.體積小、重量輕
B.單位功能的制造成本低
C.性能高
D.可靠性高
E.功能更豐富
當(dāng)S4=1，其余位均為0時(shí)，D7D6D5D4D3D2D1D0移位結(jié)果是（）。
A.B3B2B1B0B7B6B5B4
B.B5B4B3B2B1B0B7B6
C.B4B3B2B1B0B7B6B5
D.B2B1B0B7B6B5B4B3
A.ROM
B.SRAM
C.STT MRAM
D.FLASH
當(dāng)f取何值時(shí)，總延遲時(shí)間最?。浚ǎ?br/>
A.2
B.1.5
C.e
D.5
下圖的表達(dá)式是（）。
A.
B.
C.
D.
最新試題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
引線(xiàn)鍵合的參數(shù)主要包括（）。
以下不屬于打碼目的的是（）。
引線(xiàn)鍵合的目的是將金線(xiàn)鍵合在晶片、框架或基板上。
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
倒裝芯片的連接方式有（）。
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。