下圖的版圖中NMOS管在（）邊，PMOS管在（）邊。
A.左，右
B.右，左
C.左，左
D.右，右
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在下面的晶體管剖面圖中依次標(biāo)出各個(gè)編號(hào)所指的部位對(duì)應(yīng)的MOS管的結(jié)構(gòu)名稱和此晶體管的類型，表述正確的是（）。
A.柵、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、襯底、NMOS
B.襯底、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、柵、PMOS
C.柵、源/漏區(qū)、源/漏區(qū)、襯底、PMOS
D.源/漏區(qū)、柵、襯底、源/漏區(qū)、NMOS
A.體積小、重量輕
B.單位功能的制造成本低
C.性能高
D.可靠性高
E.功能更豐富
當(dāng)S4=1，其余位均為0時(shí)，D7D6D5D4D3D2D1D0移位結(jié)果是（）。
A.B3B2B1B0B7B6B5B4
B.B5B4B3B2B1B0B7B6
C.B4B3B2B1B0B7B6B5
D.B2B1B0B7B6B5B4B3
A.ROM
B.SRAM
C.STT MRAM
D.FLASH
當(dāng)f取何值時(shí)，總延遲時(shí)間最??？（）
A.2
B.1.5
C.e
D.5
最新試題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。