單項選擇題一個CMOS反相器它所驅(qū)動的外部負(fù)載電容遠(yuǎn)大于它自身的寄生電容（即不考慮反相器自身的寄生負(fù)載電容），當(dāng)維持兩個晶體管的溝道長度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時放大2倍，那么它的傳播延時將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題數(shù)字集成電路中的噪聲來源主要有片內(nèi)的（）噪聲，和來自片外的（）噪聲，前者與信號擺幅（），后者與信號擺幅（）。
A.耦合，電源地，無關(guān)，成正比
B.耦合，電源地，成正比，無關(guān)
C.電源地，耦合，成正比，無關(guān)
D.電源地，耦合，無關(guān)，成正比
2.單項選擇題對一個CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的溝道寬度之比（Wp/Wn），其開關(guān)閾值將（）；當(dāng)NMOS管的閾值電壓變大，對稱反相器所對應(yīng)的Wp/Wn應(yīng)該（）。
A.增大；增大
B.減??；減小
C.增大；減小
D.減小；增大
3.單項選擇題當(dāng)溫度升高時，MOS管的漏極飽和電流將（），亞閾值漏電流將（）。
A.上升，下降
B.上升，上升
C.下降，上升
D.下降，下降
4.單項選擇題亞閾值電流的大小和晶體管的過驅(qū)動電壓VGS-VT成（）關(guān)系。
A.指數(shù)
B.平方
C.線性
5.多項選擇題下列參數(shù)變化會引起NMOS晶體管閾值電壓降低的是（）。
A.溝道長度L縮短
B.晶體管的VDS增大
C.源端電位升高（襯底接地）
D.增加襯底摻雜濃度
最新試題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項選擇題
凸點的制作技術(shù)有（）。
題型：多項選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題