單項選擇題一個CMOS反相器它所驅(qū)動的外部負載電容遠小于它自身的寄生電容（即只考慮反相器自身的寄生負載電容），當維持兩個晶體管的溝道長度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時放大2倍，那么它的傳播延時將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
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1.單項選擇題一個CMOS反相器它所驅(qū)動的外部負載電容遠大于它自身的寄生電容（即不考慮反相器自身的寄生負載電容），當維持兩個晶體管的溝道長度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時放大2倍，那么它的傳播延時將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
2.單項選擇題數(shù)字集成電路中的噪聲來源主要有片內(nèi)的（）噪聲，和來自片外的（）噪聲，前者與信號擺幅（），后者與信號擺幅（）。
A.耦合，電源地，無關(guān)，成正比
B.耦合，電源地，成正比，無關(guān)
C.電源地，耦合，成正比，無關(guān)
D.電源地，耦合，無關(guān)，成正比
3.單項選擇題對一個CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的溝道寬度之比（Wp/Wn），其開關(guān)閾值將（）；當NMOS管的閾值電壓變大，對稱反相器所對應(yīng)的Wp/Wn應(yīng)該（）。
A.增大；增大
B.減?。粶p小
C.增大；減小
D.減小；增大
4.單項選擇題當溫度升高時，MOS管的漏極飽和電流將（），亞閾值漏電流將（）。
A.上升，下降
B.上升，上升
C.下降，上升
D.下降，下降
5.單項選擇題亞閾值電流的大小和晶體管的過驅(qū)動電壓VGS-VT成（）關(guān)系。
A.指數(shù)
B.平方
C.線性
最新試題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
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以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
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凸點的制作技術(shù)有（）。
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下列屬于BGAA形式的是（）。
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鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題