單項(xiàng)選擇題下列因素哪個(gè)不會(huì)影響一種給定邏輯門(mén)的本征延時(shí)？（）
A.尺寸系數(shù)
B.工藝參數(shù)
C.電源電壓
D.溫度
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1.單項(xiàng)選擇題真實(shí)邏輯門(mén)的延時(shí)與輸入信號(hào)的翻轉(zhuǎn)時(shí)間（），與邏輯門(mén)的負(fù)載電容（）。
A.有關(guān)，無(wú)關(guān)
B.無(wú)關(guān)，成線性關(guān)系
C.有關(guān)，成線性關(guān)系
D.有關(guān)，成非線性關(guān)系
2.單項(xiàng)選擇題大扇入或非門(mén)的最大傳播延時(shí)與它的扇入（）。
A.成正比
B.成平方關(guān)系
C.無(wú)關(guān)
D.成反比
3.單項(xiàng)選擇題CMOS反相器的傳播延時(shí)隨著電源電壓升高而（）。
A.變長(zhǎng)
B.變短
C.不變
4.單項(xiàng)選擇題一個(gè)CMOS反相器它所驅(qū)動(dòng)的外部負(fù)載電容遠(yuǎn)小于它自身的寄生電容（即只考慮反相器自身的寄生負(fù)載電容），當(dāng)維持兩個(gè)晶體管的溝道長(zhǎng)度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時(shí)放大2倍，那么它的傳播延時(shí)將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
5.單項(xiàng)選擇題一個(gè)CMOS反相器它所驅(qū)動(dòng)的外部負(fù)載電容遠(yuǎn)大于它自身的寄生電容（即不考慮反相器自身的寄生負(fù)載電容），當(dāng)維持兩個(gè)晶體管的溝道長(zhǎng)度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時(shí)放大2倍，那么它的傳播延時(shí)將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
最新試題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整，而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型：判斷題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題