單項(xiàng)選擇題大扇入或非門(mén)的最大傳播延時(shí)與它的扇入（）。
A.成正比
B.成平方關(guān)系
C.無(wú)關(guān)
D.成反比
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1.單項(xiàng)選擇題CMOS反相器的傳播延時(shí)隨著電源電壓升高而（）。
A.變長(zhǎng)
B.變短
C.不變
2.單項(xiàng)選擇題一個(gè)CMOS反相器它所驅(qū)動(dòng)的外部負(fù)載電容遠(yuǎn)小于它自身的寄生電容（即只考慮反相器自身的寄生負(fù)載電容），當(dāng)維持兩個(gè)晶體管的溝道長(zhǎng)度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時(shí)放大2倍，那么它的傳播延時(shí)將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
3.單項(xiàng)選擇題一個(gè)CMOS反相器它所驅(qū)動(dòng)的外部負(fù)載電容遠(yuǎn)大于它自身的寄生電容（即不考慮反相器自身的寄生負(fù)載電容），當(dāng)維持兩個(gè)晶體管的溝道長(zhǎng)度不變，把它們的溝道寬度（W值）同時(shí)放大2倍，那么它的傳播延時(shí)將近似（）。
A.增大2倍
B.縮小2倍
C.不變
D.增大4倍
E.縮小4倍
4.單項(xiàng)選擇題數(shù)字集成電路中的噪聲來(lái)源主要有片內(nèi)的（）噪聲，和來(lái)自片外的（）噪聲，前者與信號(hào)擺幅（），后者與信號(hào)擺幅（）。
A.耦合，電源地，無(wú)關(guān)，成正比
B.耦合，電源地，成正比，無(wú)關(guān)
C.電源地，耦合，成正比，無(wú)關(guān)
D.電源地，耦合，無(wú)關(guān)，成正比
5.單項(xiàng)選擇題對(duì)一個(gè)CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的溝道寬度之比（Wp/Wn），其開(kāi)關(guān)閾值將（）；當(dāng)NMOS管的閾值電壓變大，對(duì)稱(chēng)反相器所對(duì)應(yīng)的Wp/Wn應(yīng)該（）。
A.增大；增大
B.減?。粶p小
C.增大；減小
D.減小；增大
最新試題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型：判斷題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來(lái)到大眾視線
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題