單項(xiàng)選擇題一條組合邏輯路徑,調(diào)整各級(jí)門(mén)的尺寸系數(shù)使得路徑延時(shí)最短時(shí)對(duì)應(yīng)的條件是()。
A.所有邏輯門(mén)的尺寸系數(shù)取最小值
B.所有邏輯門(mén)的尺寸系數(shù)取面積允許的最大值
C.每級(jí)門(mén)的門(mén)努力都相等
D.門(mén)級(jí)門(mén)的邏輯努力都相等
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1.單項(xiàng)選擇題邏輯努力和下列哪些因素有關(guān)?()
A.尺寸系數(shù)
B.邏輯門(mén)的結(jié)構(gòu)
C.工藝參數(shù)
D.外部負(fù)載
2.單項(xiàng)選擇題下列因素哪個(gè)不會(huì)影響一種給定邏輯門(mén)的本征延時(shí)?()
A.尺寸系數(shù)
B.工藝參數(shù)
C.電源電壓
D.溫度
3.單項(xiàng)選擇題真實(shí)邏輯門(mén)的延時(shí)與輸入信號(hào)的翻轉(zhuǎn)時(shí)間(),與邏輯門(mén)的負(fù)載電容()。
A.有關(guān),無(wú)關(guān)
B.無(wú)關(guān),成線(xiàn)性關(guān)系
C.有關(guān),成線(xiàn)性關(guān)系
D.有關(guān),成非線(xiàn)性關(guān)系
4.單項(xiàng)選擇題大扇入或非門(mén)的最大傳播延時(shí)與它的扇入()。
A.成正比
B.成平方關(guān)系
C.無(wú)關(guān)
D.成反比
5.單項(xiàng)選擇題CMOS反相器的傳播延時(shí)隨著電源電壓升高而()。
A.變長(zhǎng)
B.變短
C.不變
最新試題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型:判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,焊盤(pán)產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
以下不屬于打碼目的的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線(xiàn)鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題