A.頻率常數(shù)Nt越大，制作給定頻率探頭的晶片越薄
B.不同壓電晶體材料中聲速不一樣，因此不同壓電材料的頻率常數(shù)也不一樣
C.頻率常數(shù)Nt是壓電晶片的厚度與固有頻率的乘積
D.同種壓電材料，制作高頻探頭時(shí)，晶片厚度較小
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A.降低
B.升高
C.不變
A.橫波反射率γss很低，縱波反射率γsL較高
B.橫波反射率γss為100%
C.縱波反射率γsL為100%
D.橫波反射率γss很高，縱波反射率γsL較低
A.在有機(jī)玻璃斜楔中產(chǎn)生
B.在晶片上直接產(chǎn)生
C.在有機(jī)玻璃耦合層界面上產(chǎn)生
D.在耦合層與鋼板界面上產(chǎn)生
A.有利于提高分辨力
B.有利于改善聲束指向性
C.有利于發(fā)現(xiàn)較小缺陷
D.以上都可以
A.以翼板處為檢測(cè)面的直探頭
B.以翼板外為檢測(cè)面的斜探頭
C.以翼板內(nèi)為檢測(cè)面的直探頭
D.以腹板為檢測(cè)面的斜探頭
最新試題
單探頭法容易檢出（）。
（）可以檢測(cè)出與探測(cè)面相垂直的面狀缺陷。
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定，而缺陷的大小可由缺陷的面積或（）來表征。
在對(duì)缺陷進(jìn)行定量前，必須先調(diào)節(jié)（）。
調(diào)整檢測(cè)靈敏度的目的在于檢測(cè)出工件中規(guī)定大小的缺陷，并對(duì)缺陷進(jìn)行（）。
（）可以對(duì)管路、管道進(jìn)行長(zhǎng)距離檢測(cè)。
（）是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測(cè)出規(guī)定大小缺陷的能力，一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來確定。
靈敏度采用試塊調(diào)節(jié)法，下面說法錯(cuò)誤的是（）。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí)，應(yīng)使（）同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí)，下面敘述中（）是錯(cuò)誤的。