1.電阻率的減小。 2.減小了功耗。 3.更高的集成密度。 4.良好的抗電遷徙性能。 5.更少的工藝步驟。
1.離子源 2.引出電極和離子分析器 3.加速管 4.掃描系統(tǒng) 5.工藝室
最新試題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
光刻工藝對準誤差包括（）。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
CMP的設備構成包括（）。
光刻工藝的特點包括（）。
目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
常壓的硅外延方法有（）。