簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

光學(xué)高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。