單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散摻雜，擴(kuò)散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應(yīng)引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。
A.大，場助擴(kuò)散
B.大，橫向擴(kuò)散
C.小，橫向擴(kuò)散
D.大，氧化增強(qiáng)
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2.單項(xiàng)選擇題通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）
A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化
3.多項(xiàng)選擇題在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題